टंगस्टन लक्ष्यों के विशेष अनुप्रयोग क्षेत्र
वोल्टेज सौर कोशिकाएं
बैक-कॉन्टैक्ट कोशिकाओं के लिए इलेक्ट्रोड सामग्री के रूप में (जैसे कि टॉपकॉन, एचजेटी), उच्च चालकता और संक्षारण प्रतिरोधटंगस्टन लक्ष्यसेल दक्षता और दीर्घकालिक विश्वसनीयता में सुधार कर सकते हैं।
पारदर्शी प्रवाहकीय ऑक्साइड (TCO) परत की समग्र संरचना में, टंगस्टन लक्ष्यों का उपयोग समग्र प्रदर्शन को बढ़ाने के लिए सहायक प्रवाहकीय परतों के रूप में किया जा सकता है।
इलेक्ट्रॉनिक उपकरण और कोटिंग्स
सेंसर और एमईएमएस उपकरणों में, टंगस्टन लक्ष्यों का उपयोग हीटिंग तत्वों, इलेक्ट्रोड या संरचनात्मक परतों को तैयार करने के लिए किया जाता है।
हार्ड कोटिंग्स के क्षेत्र में, टंगस्टन लक्ष्यों का उपयोग मैग्नेट्रॉन स्पटरिंग द्वारा WC और WCN जैसे पहनने के प्रतिरोधी कोटिंग्स को तैयार करने के लिए किया जाता है, जिसका उपयोग उपकरण और मोल्ड की सतह को मजबूत करने के लिए किया जाता है।
वैज्ञानिक अनुसंधान और विशेष क्षेत्र
परमाणु भौतिकी प्रयोगों में, टंगस्टन लक्ष्यों का उपयोग कण त्वरक के लिए लक्ष्य सामग्री के रूप में किया जाता है;
उच्च तापमान वाले सुपरकंडक्टिंग फिल्मों और नैनोडेविस के अध्ययन में बयान वाहक।
टंगस्टन लक्ष्य के बुनियादी विनिर्देश और शुद्धता पैरामीटर
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पिघलने की अव्यक्त गर्मी |
40.13 ± 6.67kj\/mol |
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उच्चता गर्मी |
847.8 केजे\/मोल (25 डिग्री) |
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वाष्पीकरण की गर्मी |
823.85 ± 20.9kj\/mol (उबलते बिंदु) |
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प्रतिरोध का तापमान गुणांक |
0। 00482 I\/ डिग्री |
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लोचदार मापांक |
35000 ~ 38000 एमपीए (तार) |
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मरोड़ मापांक |
~ 36000MPA |
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दबाव |
2। 910-7 सेमी\/किग्रा |
टंगस्टन लक्ष्य संबंधित चित्र
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